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IEEE核科學匯刊

英文名稱:Ieee Transactions On Nuclear Science   國際簡稱:IEEE T NUCL SCI
《Ieee Transactions On Nuclear Science》雜志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊創刊于1954年,發行周期Bimonthly,每期雜志都匯聚了全球工程技術領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了工程技術的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為工程技術-NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY事業的進步提供了有力的支撐。
中科院分區
工程技術
大類學科
0018-9499
ISSN
1558-1578
E-ISSN
預計審稿速度: 約3.0個月
雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

IEEE核科學匯刊雜志簡介

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言:English
TOP期刊:
出版地區:UNITED STATES
是否預警:

是否OA:未開放

出版周期:Bimonthly
出版年份:1954
中文名稱:IEEE核科學匯刊

IEEE核科學匯刊(國際簡稱IEEE T NUCL SCI,英文名稱Ieee Transactions On Nuclear Science)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自1954年創刊以來,始終站在工程技術研究的前沿。該期刊致力于發表在工程技術領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為工程技術事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

近年來,來自USA、CHINA MAINLAND、France、Italy、Switzerland、Japan、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、England、Russia等國家和地區的研究者在《Ieee Transactions On Nuclear Science》上發表了大量的高質量文章。該期刊內容豐富,包括原創研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。

在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

2014年:發表文章499篇、2015年:發表文章381篇、2016年:發表文章363篇、2017年:發表文章381篇、2018年:發表文章376篇、2019年:發表文章289篇、2020年:發表文章320篇、2021年:發表文章331篇、2022年:發表文章282篇、2023年:發表文章330篇。這些數據反映了期刊在全球工程技術領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Ieee Transactions On Nuclear Science》將繼續致力于推動工程技術領域的知識傳播和科學進步,為全球工程技術問題的解決貢獻力量。

期刊指數

  • 影響因子:1.9
  • 文章自引率:0.2777...
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • CiteScore:3.7
  • 年發文量:330
  • 開源占比:0.1597
  • SJR指數:0.537
  • H-index:110
  • SNIP指數:1.339
  • 出版國人文章占比:0.13

WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%

學科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

中科院分區表

中科院SCI期刊分區 2023年12月升級版
Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學技術 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
2區 3區

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
3.7 0.537 1.339
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Energy 小類:Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%

大類:Energy 小類:Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%

大類:Energy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%

學術指標分析

影響因子和CiteScore
自引率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

期刊互引關系
序號 引用他刊情況 引用次數
1 IEEE T NUCL SCI 1985
2 NUCL INSTRUM METH A 350
3 J INSTRUM 147
4 APPL PHYS LETT 112
5 J APPL PHYS 102
6 IEEE T ELECTRON DEV 84
7 NUCL INSTRUM METH B 60
8 MED PHYS 52
9 MICROELECTRON RELIAB 50
10 PHYS MED BIOL 48
序號 被他刊引用情況 引用次數
1 IEEE T NUCL SCI 1985
2 NUCL INSTRUM METH A 1041
3 PHYS MED BIOL 365
4 MICROELECTRON RELIAB 360
5 J INSTRUM 341
6 IEEE T ELECTRON DEV 192
7 PROG NUCL ENERG 188
8 ELECTRONICS-SWITZ 168
9 IEEE ACCESS 160
10 SENSORS-BASEL 159

高引用文章

  • Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators引用次數:53
  • Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling引用次數:15
  • Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate引用次數:12
  • Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics引用次數:11
  • Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout引用次數:11
  • Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses引用次數:9
  • LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications引用次數:9
  • Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields引用次數:9
  • Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal引用次數:9
  • Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs引用次數:8
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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