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IEEE納米技術匯刊

英文名稱:Ieee Transactions On Nanotechnology   國際簡稱:IEEE T NANOTECHNOL
《Ieee Transactions On Nanotechnology》雜志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊創刊于2002年,發行周期Quarterly,每期雜志都匯聚了全球工程技術領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了工程技術的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為工程技術-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業的進步提供了有力的支撐。
中科院分區
工程技術
大類學科
1536-125X
ISSN
1941-0085
E-ISSN
預計審稿速度: 約3.0個月
雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

IEEE納米技術匯刊雜志簡介

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言:English
TOP期刊:
出版地區:UNITED STATES
是否預警:

是否OA:未開放

出版周期:Quarterly
出版年份:2002
中文名稱:IEEE納米技術匯刊

IEEE納米技術匯刊(國際簡稱IEEE T NANOTECHNOL,英文名稱Ieee Transactions On Nanotechnology)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自2002年創刊以來,始終站在工程技術研究的前沿。該期刊致力于發表在工程技術領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為工程技術事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

近年來,來自CHINA MAINLAND、USA、India、Taiwan、South Korea、Iran、GERMANY (FED REP GER)、Italy、France、Spain等國家和地區的研究者在《Ieee Transactions On Nanotechnology》上發表了大量的高質量文章。該期刊內容豐富,包括原創研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。

在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

2014年:發表文章161篇、2015年:發表文章142篇、2016年:發表文章124篇、2017年:發表文章147篇、2018年:發表文章180篇、2019年:發表文章129篇、2020年:發表文章121篇、2021年:發表文章118篇、2022年:發表文章106篇、2023年:發表文章109篇。這些數據反映了期刊在全球工程技術領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Ieee Transactions On Nanotechnology》將繼續致力于推動工程技術領域的知識傳播和科學進步,為全球工程技術問題的解決貢獻力量。

期刊指數

  • 影響因子:2.1
  • 文章自引率:0.0833...
  • Gold OA文章占比:8.41%
  • CiteScore:4.8
  • 年發文量:109
  • 開源占比:0.1101
  • SJR指數:0.435
  • H-index:73
  • SNIP指數:0.783
  • 出版國人文章占比:0.2

WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

中科院分區表

中科院SCI期刊分區 2023年12月升級版
Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 4區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用
4區 4區 4區 4區

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.8 0.435 0.783
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

學術指標分析

影響因子和CiteScore
自引率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

期刊互引關系
序號 引用他刊情況 引用次數
1 APPL PHYS LETT 177
2 IEEE T ELECTRON DEV 134
3 IEEE T NANOTECHNOL 128
4 NANO LETT 107
5 J APPL PHYS 100
6 ACS NANO 91
7 NATURE 90
8 SCIENCE 77
9 SENSOR ACTUAT B-CHEM 74
10 IEEE ELECTR DEVICE L 70
序號 被他刊引用情況 引用次數
1 IEEE T NANOTECHNOL 128
2 IEEE ACCESS 89
3 IEEE T ELECTRON DEV 88
4 MICROELECTRON J 47
5 IEEE SENS J 44
6 NANOTECHNOLOGY 42
7 MICROSYST TECHNOL 38
8 IEEE T VLSI SYST 37
9 J ELECTRON MATER 37
10 MATER RES EXPRESS 36

高引用文章

  • An Improved Particle Filter With a Novel Hybrid Proposal Distribution for Quantitative Analysis of Gold Immunochromatographic Strips引用次數:44
  • Graphene-Silicon Schottky Diodes for Photodetection引用次數:26
  • One-Step Synthesis of Au/SnO2/RGO Nanocomposites and Their VOC Sensing Properties引用次數:21
  • Perovskite Methylammonium Lead Trihalide Heterostructures: Progress and Challenges引用次數:18
  • Digital Metasurface Based on Graphene: An Application to Beam Steering in Terahertz Plasmonic Antennas引用次數:17
  • Engineering Hexagonal Array of Nanoholes for High Sensitivity Biosensor and Application for Human Blood Group Detection引用次數:14
  • Highly Sensitive Ammonia Sensors Based on Ag-Decorated WO3 Nanorods引用次數:14
  • Parasitic Effect Analysis in Memristor-Array-Based Neuromorphic Systems引用次數:13
  • Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures引用次數:12
  • Understanding Energy Efficiency Benefits of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for Digital VLSI引用次數:12
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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