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半導體科技

英文名稱:Semiconductor Science And Technology   國際簡稱:SEMICOND SCI TECH
《Semiconductor Science And Technology》雜志由IOP Publishing Ltd.出版社出版,本刊創刊于1986年,發行周期Monthly,每期雜志都匯聚了全球工程技術領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了工程技術的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為工程技術-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業的進步提供了有力的支撐。
中科院分區
工程技術
大類學科
0268-1242
ISSN
1361-6641
E-ISSN
預計審稿速度: 一般,3-6周
雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

半導體科技雜志簡介

出版商:IOP Publishing Ltd.
出版語言:English
TOP期刊:
出版地區:ENGLAND
是否預警:

是否OA:未開放

出版周期:Monthly
出版年份:1986
中文名稱:半導體科技

半導體科技(國際簡稱SEMICOND SCI TECH,英文名稱Semiconductor Science And Technology)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自1986年創刊以來,始終站在工程技術研究的前沿。該期刊致力于發表在工程技術領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為工程技術事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

近年來,來自CHINA MAINLAND、USA、India、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、England、Japan、France、Russia、Taiwan等國家和地區的研究者在《Semiconductor Science And Technology》上發表了大量的高質量文章。該期刊內容豐富,包括原創研究、綜述文章、專題觀點、論文預覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領域研究者提供廣泛的學術交流平臺和靈感來源。

在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

2014年:發表文章239篇、2015年:發表文章283篇、2016年:發表文章274篇、2017年:發表文章295篇、2018年:發表文章293篇、2019年:發表文章338篇、2020年:發表文章392篇、2021年:發表文章326篇、2022年:發表文章260篇、2023年:發表文章193篇。這些數據反映了期刊在全球工程技術領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Semiconductor Science And Technology》將繼續致力于推動工程技術領域的知識傳播和科學進步,為全球工程技術問題的解決貢獻力量。

期刊指數

  • 影響因子:1.9
  • 文章自引率:0.0526...
  • Gold OA文章占比:10.23%
  • CiteScore:4.3
  • 年發文量:193
  • 開源占比:0.0715
  • SJR指數:0.411
  • H-index:99
  • SNIP指數:0.741
  • OA被引用占比:0.0493...
  • 出版國人文章占比:0.19

WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 438

31.4%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 50 / 79

37.3%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%

學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 293 / 438

33.22%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 51 / 79

36.08%

中科院分區表

中科院SCI期刊分區 2023年12月升級版
Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 4區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理
4區 4區 4區

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.3 0.411 0.741
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 797

61%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q2 167 / 434

61%

大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q2 137 / 317

56%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 126 / 284

55%

學術指標分析

影響因子和CiteScore
自引率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

期刊互引關系
序號 引用他刊情況 引用次數
1 APPL PHYS LETT 1311
2 J APPL PHYS 761
3 PHYS REV B 700
4 IEEE T ELECTRON DEV 412
5 PHYS REV LETT 332
6 IEEE ELECTR DEVICE L 277
7 SEMICOND SCI TECH 276
8 NANO LETT 236
9 THIN SOLID FILMS 162
10 J CRYST GROWTH 150
序號 被他刊引用情況 引用次數
1 J APPL PHYS 337
2 SEMICOND SCI TECH 276
3 PHYS REV B 205
4 MATER RES EXPRESS 191
5 APPL PHYS LETT 185
6 JPN J APPL PHYS 169
7 IEEE T ELECTRON DEV 145
8 SCI REP-UK 134
9 APPL SURF SCI 118
10 J MATER SCI-MATER EL 118

高引用文章

  • beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics引用次數:59
  • Phase-change materials for non-volatile memory devices: from technological challenges to materials science issues引用次數:53
  • Metal oxide nanostructures for sensor applications引用次數:29
  • How to control defect formation in monolithic III/V hetero-epitaxy on (100) Si? A critical review on current approaches引用次數:28
  • Terahertz radiation detectors: the state-of-the-art引用次數:21
  • Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk引用次數:19
  • Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem perovskite solar cells引用次數:18
  • Biaxial strain tuned electronic structures and power factor in Janus transition metal dichalchogenide monolayers引用次數:17
  • A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material引用次數:15
  • The transport and optical sensing properties of MoS MoSe WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides引用次數:15
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。

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