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IEEE固態(tài)電路雜志

英文名稱:Ieee Journal Of Solid-state Circuits   國際簡稱:IEEE J SOLID-ST CIRC
《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》雜志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊創(chuàng)刊于1966年,發(fā)行周期Monthly,每期雜志都匯聚了全球工程技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,包括原創(chuàng)論文、綜述文章、研究快報(bào)等多種形式,內(nèi)容涵蓋了工程技術(shù)的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學(xué)術(shù)視野,為工程技術(shù)-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。
中科院分區(qū)
工程技術(shù)
大類學(xué)科
0018-9200
ISSN
1558-173X
E-ISSN
預(yù)計(jì)審稿速度: 一般,3-6周
雜志簡介 期刊指數(shù) WOS分區(qū) 中科院分區(qū) CiteScore 學(xué)術(shù)指標(biāo) 高引用文章

IEEE固態(tài)電路雜志雜志簡介

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言:English
TOP期刊:
出版地區(qū):UNITED STATES
是否預(yù)警:

是否OA:未開放

出版周期:Monthly
出版年份:1966
中文名稱:IEEE固態(tài)電路雜志

IEEE固態(tài)電路雜志(國際簡稱IEEE J SOLID-ST CIRC,英文名稱Ieee Journal Of Solid-state Circuits)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自1966年創(chuàng)刊以來,始終站在工程技術(shù)研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在工程技術(shù)領(lǐng)域各個方面達(dá)到最高科學(xué)標(biāo)準(zhǔn)和具有重要性的研究成果。全面反映該學(xué)科的發(fā)展趨勢,為工程技術(shù)事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。期刊嚴(yán)格遵循職業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn),對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實(shí),均可能導(dǎo)致稿件被拒絕。

近年來,來自USA、CHINA MAINLAND、South Korea、Japan、Netherlands、Taiwan、Belgium、GERMANY (FED REP GER)、Canada、Italy等國家和地區(qū)的研究者在《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》上發(fā)表了大量的高質(zhì)量文章。該期刊內(nèi)容豐富,包括原創(chuàng)研究、綜述文章、專題觀點(diǎn)、論文預(yù)覽、專家意見等多種類型,旨在為全球該領(lǐng)域研究者提供廣泛的學(xué)術(shù)交流平臺和靈感來源。

在過去幾年中,該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量,具體數(shù)據(jù)如下:

2014年:發(fā)表文章246篇、2015年:發(fā)表文章250篇、2016年:發(fā)表文章259篇、2017年:發(fā)表文章266篇、2018年:發(fā)表文章298篇、2019年:發(fā)表文章296篇、2020年:發(fā)表文章275篇、2021年:發(fā)表文章405篇、2022年:發(fā)表文章306篇、2023年:發(fā)表文章304篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球工程技術(shù)領(lǐng)域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位。《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》將繼續(xù)致力于推動工程技術(shù)領(lǐng)域的知識傳播和科學(xué)進(jìn)步,為全球工程技術(shù)問題的解決貢獻(xiàn)力量。

期刊指數(shù)

  • 影響因子:4.6
  • 文章自引率:0.2037...
  • Gold OA文章占比:13.89%
  • CiteScore:11
  • 年發(fā)文量:304
  • 開源占比:0.1379
  • SJR指數(shù):2.876
  • H-index:197
  • SNIP指數(shù):2.612
  • 出版國人文章占比:0.1

WOS期刊SCI分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 74 / 352

79.1%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 66 / 354

81.5%

中科院分區(qū)表

中科院SCI期刊分區(qū) 2023年12月升級版
Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
工程技術(shù) 1區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
1區(qū)

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
11 2.876 2.612
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 78 / 797

90%

學(xué)術(shù)指標(biāo)分析

影響因子和CiteScore
自引率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學(xué)者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

自引率:是衡量期刊質(zhì)量和影響力的重要指標(biāo)之一。通過計(jì)算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例,可以反映期刊對于自身研究內(nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。

年發(fā)文量:是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標(biāo),年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學(xué)術(shù)聲譽(yù),從而吸引更多的優(yōu)質(zhì)稿件。

期刊互引關(guān)系
序號 引用他刊情況 引用次數(shù)
1 IEEE J SOLID-ST CIRC 2558
2 IEEE T CIRCUITS-I 330
3 IEEE T MICROW THEORY 245
4 IEEE T CIRCUITS-II 127
5 IEEE T POWER ELECTR 89
6 P IEEE 78
7 IEEE T BIOMED CIRC S 67
8 IEEE T VLSI SYST 56
9 IEEE T ELECTRON DEV 49
10 ELECTRON LETT 46
序號 被他刊引用情況 引用次數(shù)
1 IEEE J SOLID-ST CIRC 2558
2 IEEE T CIRCUITS-I 1534
3 IEEE ACCESS 670
4 IEEE T CIRCUITS-II 623
5 IEEE T VLSI SYST 610
6 IEEE T MICROW THEORY 565
7 ANALOG INTEGR CIRC S 538
8 ELECTRONICS-SWITZ 506
9 IEICE ELECTRON EXPR 422
10 IEEE T BIOMED CIRC S 418

高引用文章

  • A Low-Cost Scalable 32-Element 28-GHz Phased Array Transceiver for 5G Communication Links Based on a 2 x 2 Beamformer Flip-Chip Unit Cell引用次數(shù):52
  • Cryo-CMOS Circuits and Systems for Quantum Computing Applications引用次數(shù):29
  • A 28-GHz CMOS Direct Conversion Transceiver With Packaged 2 x 4 Antenna Array for 5G Cellular System引用次數(shù):29
  • A Monolithically Integrated Large-Scale Optical Phased Array in Silicon-on-Insulator CMOS引用次數(shù):25
  • A Multi-Functional In-Memory Inference Processor Using a Standard 6T SRAM Array引用次數(shù):24
  • A High Energy Efficient Reconfigurable Hybrid Neural Network Processor for Deep Learning Applications引用次數(shù):23
  • An Always-On 3.8 mu J/86% CIFAR-10 Mixed-Signal Binary CNN Processor With All Memory on Chip in 28-nm CMOS引用次數(shù):19
  • A Wideband Class-AB Power Amplifier With 29-57-GHz AM-PM Compensation in 0.9-V 28-nm Bulk CMOS引用次數(shù):19
  • A 28-/37-/39-GHz Linear Doherty Power Amplifier in Silicon for 5G Applications引用次數(shù):18
  • An Analog-Assisted Tri-Loop Digital Low-Dropout Regulator引用次數(shù):18
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