所屬分類： SCIE 期刊 工程技術(shù) 中科院 1區(qū) JCR Q1
IEEE固態(tài)電路雜志
IEEE固態(tài)電路雜志雜志簡介
- 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
- 出版語言：English
- TOP期刊：是
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否預(yù)警：否
- 是否OA：未開放
- 出版周期：Monthly
- 出版年份：1966
- 中文名稱：IEEE固態(tài)電路雜志
- 是否OA：未開放
IEEE固態(tài)電路雜志（國際簡稱IEEE J SOLID-ST CIRC，英文名稱Ieee Journal Of Solid-state Circuits）是一本未開放獲取（OA）國際期刊，自1966年創(chuàng)刊以來，始終站在工程技術(shù)研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在工程技術(shù)領(lǐng)域各個方面達(dá)到最高科學(xué)標(biāo)準(zhǔn)和具有重要性的研究成果。全面反映該學(xué)科的發(fā)展趨勢，為工程技術(shù)事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。期刊嚴(yán)格遵循職業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn)，對于任何形式的抄襲行為，無論是文字還是圖形，一旦查實(shí)，均可能導(dǎo)致稿件被拒絕。
近年來，來自USA、CHINA MAINLAND、South Korea、Japan、Netherlands、Taiwan、Belgium、GERMANY (FED REP GER)、Canada、Italy等國家和地區(qū)的研究者在《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》上發(fā)表了大量的高質(zhì)量文章。該期刊內(nèi)容豐富，包括原創(chuàng)研究、綜述文章、專題觀點(diǎn)、論文預(yù)覽、專家意見等多種類型，旨在為全球該領(lǐng)域研究者提供廣泛的學(xué)術(shù)交流平臺和靈感來源。
在過去幾年中，該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量，具體數(shù)據(jù)如下：
2014年：發(fā)表文章246篇、2015年：發(fā)表文章250篇、2016年：發(fā)表文章259篇、2017年：發(fā)表文章266篇、2018年：發(fā)表文章298篇、2019年：發(fā)表文章296篇、2020年：發(fā)表文章275篇、2021年：發(fā)表文章405篇、2022年：發(fā)表文章306篇、2023年：發(fā)表文章304篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球工程技術(shù)領(lǐng)域的影響力和活躍度，同時也展示了其作為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位。《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》將繼續(xù)致力于推動工程技術(shù)領(lǐng)域的知識傳播和科學(xué)進(jìn)步，為全球工程技術(shù)問題的解決貢獻(xiàn)力量。
期刊指數(shù)
- 影響因子：4.6
- 文章自引率：0.2037...
- Gold OA文章占比：13.89%
- CiteScore：11
- 年發(fā)文量：304
- 開源占比：0.1379
- SJR指數(shù)：2.876
- H-index：197
- SNIP指數(shù)：2.612
- 出版國人文章占比：0.1
WOS期刊SCI分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 74 / 352 |
79.1% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 66 / 354 |
81.5% |
中科院分區(qū)表
中科院SCI期刊分區(qū) 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 |
| 是 | 否 | 工程技術(shù) 1區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
1區(qū)
|
CiteScore（2024年最新版）
CiteScore 排名
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||
| 11 | 2.876 | 2.612 |
|
學(xué)術(shù)指標(biāo)分析
影響因子和CiteScore
自引率
影響因子：指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。影響因子越高，代表著期刊的影響力越大 。
CiteScore：該值越高，代表該期刊的論文受到更多其他學(xué)者的引用，因此該期刊的影響力也越高。
自引率：是衡量期刊質(zhì)量和影響力的重要指標(biāo)之一。通過計(jì)算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例，可以反映期刊對于自身研究內(nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。
年發(fā)文量：是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標(biāo)，年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學(xué)術(shù)聲譽(yù)，從而吸引更多的優(yōu)質(zhì)稿件。
期刊互引關(guān)系
| 序號 | 引用他刊情況 | 引用次數(shù) |
| 1 | IEEE J SOLID-ST CIRC | 2558 |
| 2 | IEEE T CIRCUITS-I | 330 |
| 3 | IEEE T MICROW THEORY | 245 |
| 4 | IEEE T CIRCUITS-II | 127 |
| 5 | IEEE T POWER ELECTR | 89 |
| 6 | P IEEE | 78 |
| 7 | IEEE T BIOMED CIRC S | 67 |
| 8 | IEEE T VLSI SYST | 56 |
| 9 | IEEE T ELECTRON DEV | 49 |
| 10 | ELECTRON LETT | 46 |
| 序號 | 被他刊引用情況 | 引用次數(shù) |
| 1 | IEEE J SOLID-ST CIRC | 2558 |
| 2 | IEEE T CIRCUITS-I | 1534 |
| 3 | IEEE ACCESS | 670 |
| 4 | IEEE T CIRCUITS-II | 623 |
| 5 | IEEE T VLSI SYST | 610 |
| 6 | IEEE T MICROW THEORY | 565 |
| 7 | ANALOG INTEGR CIRC S | 538 |
| 8 | ELECTRONICS-SWITZ | 506 |
| 9 | IEICE ELECTRON EXPR | 422 |
| 10 | IEEE T BIOMED CIRC S | 418 |
高引用文章
- A Low-Cost Scalable 32-Element 28-GHz Phased Array Transceiver for 5G Communication Links Based on a 2 x 2 Beamformer Flip-Chip Unit Cell引用次數(shù)：52
- Cryo-CMOS Circuits and Systems for Quantum Computing Applications引用次數(shù)：29
- A 28-GHz CMOS Direct Conversion Transceiver With Packaged 2 x 4 Antenna Array for 5G Cellular System引用次數(shù)：29
- A Monolithically Integrated Large-Scale Optical Phased Array in Silicon-on-Insulator CMOS引用次數(shù)：25
- A Multi-Functional In-Memory Inference Processor Using a Standard 6T SRAM Array引用次數(shù)：24
- A High Energy Efficient Reconfigurable Hybrid Neural Network Processor for Deep Learning Applications引用次數(shù)：23
- An Always-On 3.8 mu J/86% CIFAR-10 Mixed-Signal Binary CNN Processor With All Memory on Chip in 28-nm CMOS引用次數(shù)：19
- A Wideband Class-AB Power Amplifier With 29-57-GHz AM-PM Compensation in 0.9-V 28-nm Bulk CMOS引用次數(shù)：19
- A 28-/37-/39-GHz Linear Doherty Power Amplifier in Silicon for 5G Applications引用次數(shù)：18
- An Analog-Assisted Tri-Loop Digital Low-Dropout Regulator引用次數(shù)：18
