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微電子雜志

英文名稱:Microelectronics Journal   國際簡稱:MICROELECTRON J
《Microelectronics Journal》雜志由Elsevier出版社出版,本刊創刊于1967年,發行周期Monthly,每期雜志都匯聚了全球工程技術領域的最新研究成果,包括原創論文、綜述文章、研究快報等多種形式,內容涵蓋了工程技術的各個方面,為讀者提供了全面而深入的學術視野,為工程技術-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業的進步提供了有力的支撐。
中科院分區
工程技術
大類學科
0026-2692
ISSN
1879-2391
E-ISSN
預計審稿速度: 約3.0個月
雜志簡介 期刊指數 WOS分區 中科院分區 CiteScore 學術指標 高引用文章

微電子雜志雜志簡介

出版商:Elsevier
出版語言:English
TOP期刊:
出版地區:ENGLAND
是否預警:

是否OA:未開放

出版周期:Monthly
出版年份:1967
中文名稱:微電子雜志

微電子雜志(國際簡稱MICROELECTRON J,英文名稱Microelectronics Journal)是一本未開放獲取(OA)國際期刊,自1967年創刊以來,始終站在工程技術研究的前沿。該期刊致力于發表在工程技術領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發展趨勢,為工程技術事業的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業道德標準,對于任何形式的抄襲行為,無論是文字還是圖形,一旦查實,均可能導致稿件被拒絕。

在過去幾年中,該期刊保持了穩定的發文量和綜述量,具體數據如下:

2014年:發表文章219篇、2015年:發表文章180篇、2016年:發表文章158篇、2017年:發表文章177篇、2018年:發表文章154篇、2019年:發表文章208篇、2020年:發表文章170篇、2021年:發表文章265篇、2022年:發表文章245篇、2023年:發表文章293篇。這些數據反映了期刊在全球工程技術領域的影響力和活躍度,同時也展示了其作為學術界和工業界研究人員首選資源的地位。《Microelectronics Journal》將繼續致力于推動工程技術領域的知識傳播和科學進步,為全球工程技術問題的解決貢獻力量。

期刊指數

  • 影響因子:1.9
  • 文章自引率:0.2727...
  • Gold OA文章占比:2.61%
  • CiteScore:4
  • 年發文量:293
  • 開源占比:0.0103
  • SJR指數:0.39
  • H-index:59
  • SNIP指數:0.854
  • OA被引用占比:0.0096...

WOS期刊SCI分區(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 110 / 140

21.8%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.21%

中科院分區表

中科院SCI期刊分區 2023年12月升級版
Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技
3區 4區

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4 0.39 0.854
學科類別 分區 排名 百分位
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 181 / 434

58%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 332 / 797

58%

大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 101 / 224

55%

大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q2 61 / 132

54%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 133 / 284

53%

學術指標分析

影響因子和CiteScore
自引率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

自引率:是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數與總被引次數的比例,可以反映期刊對于自身研究內容的重視程度以及內部引用的情況。

年發文量:是衡量期刊活躍度和研究產出能力的重要指標,年發文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽,從而吸引更多的優質稿件。

期刊互引關系
序號 引用他刊情況 引用次數
1 IEEE J SOLID-ST CIRC 377
2 MICROELECTRON J 225
3 IEEE T CIRCUITS-I 195
4 IEEE T ELECTRON DEV 156
5 IEEE T CIRCUITS-II 127
6 AEU-INT J ELECTRON C 117
7 IEEE T VLSI SYST 107
8 ELECTRON LETT 95
9 IEEE T MICROW THEORY 88
10 IEEE ELECTR DEVICE L 80
序號 被他刊引用情況 引用次數
1 MICROELECTRON J 225
2 AEU-INT J ELECTRON C 129
3 ANALOG INTEGR CIRC S 105
4 J CIRCUIT SYST COMP 85
5 IEEE ACCESS 72
6 CIRC SYST SIGNAL PR 53
7 INT J THEOR PHYS 44
8 IET CIRC DEVICE SYST 43
9 SENSORS-BASEL 43
10 INTEGRATION 41

高引用文章

  • Programmable multi-direction fully integrated chaotic oscillator引用次數:13
  • Performance improvement of nano wire TFET by hetero-dielectric and hetero-material: At device and circuit level引用次數:12
  • A survey of single and multi-component Fractional-Order Elements (FOEs) and their applications引用次數:12
  • Classical and fractional-order modeling of equivalent electrical circuits for supercapacitors and batteries, energy management strategies for hybrid systems and methods for the state of charge estimation: A state of the art review引用次數:9
  • Wearable technologies for hand joints monitoring for rehabilitation: A survey引用次數:9
  • Electronically reconfigurable two-path fractional-order PI/D controller employing constant phase blocks based on bilinear segments using CMOS modified current differencing unit引用次數:8
  • Fractional-order band-pass filter design using fractional-characteristic specimen functions引用次數:7
  • Entanglement and physical attributes of the interaction between two SC-qubits and thermal field in the presence of a magnetic field引用次數:7
  • Multi stage OTA design: From matrix description to circuit realization引用次數:7
  • Memristor-CNTFET based ternary logic gates引用次數:7
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。

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