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半導(dǎo)體和半金屬

英文名稱:Semiconductors And Semimetals   國(guó)際簡(jiǎn)稱:SEMICONDUCT SEMIMET
《Semiconductors And Semimetals》雜志由Academic Press Inc.出版社出版,本刊創(chuàng)刊于1966年,發(fā)行周期Semiannual,每期雜志都匯聚了全球物理與天體物理領(lǐng)域的最新研究成果,包括原創(chuàng)論文、綜述文章、研究快報(bào)等多種形式,內(nèi)容涵蓋了物理與天體物理的各個(gè)方面,為讀者提供了全面而深入的學(xué)術(shù)視野,為物理與天體物理-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。
中科院分區(qū)
物理與天體物理
大類學(xué)科
0080-8784
ISSN
預(yù)計(jì)審稿速度: 12周,或約稿
雜志簡(jiǎn)介 期刊指數(shù) WOS分區(qū) 中科院分區(qū) CiteScore 學(xué)術(shù)指標(biāo) 高引用文章

半導(dǎo)體和半金屬雜志簡(jiǎn)介

出版商:Academic Press Inc.
出版語(yǔ)言:English
TOP期刊:
出版地區(qū):UNITED STATES
是否預(yù)警:

是否OA:未開放

出版周期:Semiannual
出版年份:1966
中文名稱:半導(dǎo)體和半金屬

半導(dǎo)體和半金屬(國(guó)際簡(jiǎn)稱SEMICONDUCT SEMIMET,英文名稱Semiconductors And Semimetals)是一本未開放獲?。∣A)國(guó)際期刊,自1966年創(chuàng)刊以來(lái),始終站在物理與天體物理研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在物理與天體物理領(lǐng)域各個(gè)方面達(dá)到最高科學(xué)標(biāo)準(zhǔn)和具有重要性的研究成果。全面反映該學(xué)科的發(fā)展趨勢(shì),為物理與天體物理事業(yè)的進(jìn)步提供了有力的支撐。期刊嚴(yán)格遵循職業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn),對(duì)于任何形式的抄襲行為,無(wú)論是文字還是圖形,一旦查實(shí),均可能導(dǎo)致稿件被拒絕。

近年來(lái),來(lái)自USA、Japan、GERMANY (FED REP GER)、Australia、CHINA MAINLAND、France、England、Sweden、Belgium、Russia等國(guó)家和地區(qū)的研究者在《Semiconductors And Semimetals》上發(fā)表了大量的高質(zhì)量文章。該期刊內(nèi)容豐富,包括原創(chuàng)研究、綜述文章、專題觀點(diǎn)、論文預(yù)覽、專家意見(jiàn)等多種類型,旨在為全球該領(lǐng)域研究者提供廣泛的學(xué)術(shù)交流平臺(tái)和靈感來(lái)源。

在過(guò)去幾年中,該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量,具體數(shù)據(jù)如下:

2014年:發(fā)表文章3篇、2015年:發(fā)表文章19篇、2016年:發(fā)表文章7篇、2017年:發(fā)表文章12篇、2018年:發(fā)表文章15篇、2019年:發(fā)表文章29篇、2020年:發(fā)表文章20篇、2021年:發(fā)表文章34篇、2022年:發(fā)表文章0篇、2023年:發(fā)表文章0篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球物理與天體物理領(lǐng)域的影響力和活躍度,同時(shí)也展示了其作為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位?!禨emiconductors And Semimetals》將繼續(xù)致力于推動(dòng)物理與天體物理領(lǐng)域的知識(shí)傳播和科學(xué)進(jìn)步,為全球物理與天體物理問(wèn)題的解決貢獻(xiàn)力量。

期刊指數(shù)

  • Gold OA文章占比:0.00%
  • CiteScore:1.6
  • 年發(fā)文量:0
  • H-index:28
  • 出版國(guó)人文章占比:0.05

WOS期刊SCI分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位

中科院分區(qū)表

中科院SCI期刊分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
Top期刊 綜述期刊 大類學(xué)科 小類學(xué)科
物理與天體物理 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理
4區(qū) 4區(qū)

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
1.6 0 0
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Materials Science 小類:Metals and Alloys Q3 95 / 176

46%

大類:Materials Science 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 552 / 797

30%

大類:Materials Science 小類:Materials Chemistry Q3 225 / 317

29%

大類:Materials Science 小類:Condensed Matter Physics Q3 322 / 434

25%

大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 214 / 284

24%

學(xué)術(shù)指標(biāo)分析

影響因子和CiteScore
自引率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時(shí)期被引用的頻率,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大 。

CiteScore:該值越高,代表該期刊的論文受到更多其他學(xué)者的引用,因此該期刊的影響力也越高。

自引率:是衡量期刊質(zhì)量和影響力的重要指標(biāo)之一。通過(guò)計(jì)算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例,可以反映期刊對(duì)于自身研究?jī)?nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。

年發(fā)文量:是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標(biāo),年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學(xué)術(shù)聲譽(yù),從而吸引更多的優(yōu)質(zhì)稿件。

期刊互引關(guān)系
序號(hào) 引用他刊情況 引用次數(shù)
1 APPL PHYS LETT 295
2 IEEE ELECTR DEVICE L 168
3 OPT EXPRESS 136
4 J APPL PHYS 123
5 J CRYST GROWTH 91
6 IEEE T ELECTRON DEV 63
7 ELECTRON LETT 43
8 NAT PHOTONICS 42
9 OPT LETT 42
10 APPL PHYS EXPRESS 34
序號(hào) 被他刊引用情況 引用次數(shù)
1 J APPL PHYS 33
2 PHYS REV B 21
3 APPL PHYS LETT 14
4 NANOTECHNOLOGY 11
5 J ELECTRON MATER 10
6 JPN J APPL PHYS 10
7 PHYS STATUS SOLIDI A 10
8 PHYSICA B 9
9 CHEM REV 8
10 MATER RES EXPRESS 8

高引用文章

  • Guided mode resonances and photonic crystals for biosensing and imaging引用次數(shù):3
  • Quantum dot lasers for silicon photonics引用次數(shù):3
  • Inorganic Nanofibers by Electrospinning Techniques and Their Application in Energy Conversion and Storage Systems引用次數(shù):3
  • Semiconductor Nanowires for Thermoelectric Generation引用次數(shù):3
  • Heterogeneous Integration of III-V Lasers on Si by Bonding引用次數(shù):3
  • Photonic Crystal Lasers and Nanolasers on Silicon引用次數(shù):2
  • Top-Down Etching of Si Nanowires引用次數(shù):2
  • Piezoelectric Semiconducting Nanowires引用次數(shù):2
  • Nano-ridge laser monolithically grown on (001) Si引用次數(shù):2
  • Quantum dot microcavity lasers on silicon substrates引用次數(shù):2
若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:ELSEVIER ACADEMIC PRESS INC, 525 B STREET, SUITE 1900, SAN DIEGO, USA, CA, 92101-4495。

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